STW25N60M2-EP
Zapytanie Cena i czas oczekiwania
STW25N60M2-EP są dostępne, możemy dostarczyć STW25N60M2-EP, skorzystaj z formularza zapytania ofertowego, aby poprosić o cenę STW25N60M2-EP i czas realizacji.Atosn.com to profesjonalny dystrybutor komponentów elektronicznych. Mamy duże zapasy i możemy szybką dostawę, Skontaktuj się z nami już dziś, a nasz przedstawiciel handlowy przedstawi cenę i szczegóły wysyłki w części # STW25N60M2-EP.i zespół techniczny, Cieszymy się na współpracę z Tobą.
Zgłoś żądanie
paramters produkcie
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4.75V @ 250µA
- Vgs (maks.)
- ±25V
- Technologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Dostawca urządzeń Pakiet
- TO-247
- Seria
- MDmesh™ M2-EP
- RDS (Max) @ ID, Vgs
- 188 mOhm @ 9A, 10V
- Strata mocy (max)
- 150W (Tc)
- Opakowania
- Tube
- Package / Case
- TO-247-3
- temperatura robocza
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Rodzaj mocowania
- Through Hole
- Poziom czułości na wilgoć (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Standardowy czas oczekiwania producenta
- 42 Weeks
- Status bezołowiowy / status RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
- 1090pF @ 100V
- Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
- 29nC @ 10V
- Rodzaj FET
- N-Channel
- Cecha FET
- -
- Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Spust do źródła napięcia (Vdss)
- 600V
- szczegółowy opis
- N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
- Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
- 18A (Tc)
podobne produkty
- STMicroelectronics STW25N60M2-EP
- Arkusz danych STW25N60M2-EP
- Arkusz danych STW25N60M2-EP
- Arkusz danych STW25N60M2-EP pdf
- Pobierz arkusz danych STW25N60M2-EP
- Obraz STW25N60M2-EP
- Część STW25N60M2-EP
- ST STW25N60M2-EP
- STMicroelectronics STW25N60M2-EP