IXDI502SIAT/R
IXYS Corporation
IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Zapytanie Cena i czas oczekiwania
IXDI502SIAT/R są dostępne, możemy dostarczyć IXDI502SIAT/R, skorzystaj z formularza zapytania ofertowego, aby poprosić o cenę IXDI502SIAT/R i czas realizacji.Atosn.com to profesjonalny dystrybutor komponentów elektronicznych. Mamy duże zapasy i możemy szybką dostawę, Skontaktuj się z nami już dziś, a nasz przedstawiciel handlowy przedstawi cenę i szczegóły wysyłki w części # IXDI502SIAT/R.i zespół techniczny, Cieszymy się na współpracę z Tobą.
Zgłoś żądanie
paramters produkcie
- Napięcie - Dostawa
- 4.5 V ~ 30 V
- Dostawca urządzeń Pakiet
- 8-SOIC
- Seria
- -
- Czas narastania / spadku (typ)
- 7.5ns, 6.5ns
- Opakowania
- Cut Tape (CT)
- Package / Case
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Inne nazwy
- IXDI502SIACT
- temperatura robocza
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Częstotliwość wejściowa
- 2
- Rodzaj mocowania
- Surface Mount
- Poziom czułości na wilgoć (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Napięcie logiczne - VIL, VIH
- 0.8V, 3V
- Status bezołowiowy / status RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Typ wejścia
- Inverting
- Typ bramy
- IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- Konfiguracja napędzana
- Low-Side
- szczegółowy opis
- Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
- Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak)
- 2A, 2A
- Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max)
- Independent
- Podstawowy numer części
- IXD*502
podobne produkty
- IXYS Corporation IXDI502SIAT/R
- Arkusz danych IXDI502SIAT/R
- Arkusz danych IXDI502SIAT/R
- Arkusz danych IXDI502SIAT/R pdf
- Pobierz arkusz danych IXDI502SIAT/R
- Obraz IXDI502SIAT/R
- Część IXDI502SIAT/R
- IXYS IXDI502SIAT/R
- IXYS Corporation IXDI502SIAT/R
- IXYS / Littelfuse IXDI502SIAT/R
- Littelfuse / IXYS IXDI502SIAT/R
- Littelfuse / IXYS Integrated Circuits Division IXDI502SIAT/R
- Littelfuse / IXYS RF IXDI502SIAT/R