Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > STH320N4F6-2
STH320N4F6-2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Zapytanie Cena i czas oczekiwania
STH320N4F6-2 są dostępne, możemy dostarczyć STH320N4F6-2, skorzystaj z formularza zapytania ofertowego, aby poprosić o cenę STH320N4F6-2 i czas realizacji.Atosn.com to profesjonalny dystrybutor komponentów elektronicznych. Mamy duże zapasy i możemy szybką dostawę, Skontaktuj się z nami już dziś, a nasz przedstawiciel handlowy przedstawi cenę i szczegóły wysyłki w części # STH320N4F6-2.i zespół techniczny, Cieszymy się na współpracę z Tobą.
Zgłoś żądanie
paramters produkcie
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (maks.)
- ±20V
- Technologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Dostawca urządzeń Pakiet
- H²PAK
- Seria
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- RDS (Max) @ ID, Vgs
- 1.3 mOhm @ 80A, 10V
- Strata mocy (max)
- 300W (Tc)
- Opakowania
- Cut Tape (CT)
- Package / Case
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
- Inne nazwy
- 497-13875-1
- temperatura robocza
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Rodzaj mocowania
- Surface Mount
- Poziom czułości na wilgoć (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Standardowy czas oczekiwania producenta
- 38 Weeks
- Status bezołowiowy / status RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
- 13800pF @ 15V
- Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
- 240nC @ 10V
- Rodzaj FET
- N-Channel
- Cecha FET
- -
- Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Spust do źródła napięcia (Vdss)
- 40V
- szczegółowy opis
- N-Channel 40V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK
- Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
- 200A (Tc)
podobne produkty
- STMicroelectronics STH320N4F6-2
- Arkusz danych STH320N4F6-2
- Arkusz danych STH320N4F6-2
- Arkusz danych STH320N4F6-2 pdf
- Pobierz arkusz danych STH320N4F6-2
- Obraz STH320N4F6-2
- Część STH320N4F6-2
- ST STH320N4F6-2
- STMicroelectronics STH320N4F6-2