Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > STD12N60M2
STD12N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Zapytanie Cena i czas oczekiwania
STD12N60M2 są dostępne, możemy dostarczyć STD12N60M2, skorzystaj z formularza zapytania ofertowego, aby poprosić o cenę STD12N60M2 i czas realizacji.Atosn.com to profesjonalny dystrybutor komponentów elektronicznych. Mamy duże zapasy i możemy szybką dostawę, Skontaktuj się z nami już dziś, a nasz przedstawiciel handlowy przedstawi cenę i szczegóły wysyłki w części # STD12N60M2.i zespół techniczny, Cieszymy się na współpracę z Tobą.
Zgłoś żądanie
paramters produkcie
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (maks.)
- ±25V
- Technologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Dostawca urządzeń Pakiet
- DPAK
- Seria
- MDmesh™ M2
- RDS (Max) @ ID, Vgs
- 450 mOhm @ 4.5A, 10V
- Strata mocy (max)
- 85W (Tc)
- Opakowania
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Inne nazwy
- 497-16033-2
- temperatura robocza
- 150°C (TJ)
- Rodzaj mocowania
- Surface Mount
- Poziom czułości na wilgoć (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Status bezołowiowy / status RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
- 538pF @ 100V
- Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
- 16nC @ 10V
- Rodzaj FET
- N-Channel
- Cecha FET
- -
- Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Spust do źródła napięcia (Vdss)
- 600V
- szczegółowy opis
- N-Channel 600V 9A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
- Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
- 9A (Tc)
podobne produkty
- STMicroelectronics STD12N60M2
- Arkusz danych STD12N60M2
- Arkusz danych STD12N60M2
- Arkusz danych STD12N60M2 pdf
- Pobierz arkusz danych STD12N60M2
- Obraz STD12N60M2
- Część STD12N60M2
- ST STD12N60M2
- STMicroelectronics STD12N60M2